CN RW article

祝贺复旦大学微电子学院江安全教授的文章在ACS Applied Materials & Interfaces发表

( 期刊影响因子: 8.456 )

江安全 研究员、博士生导师


1988年8月-1992年6月:理学学士,兰州大学材料科学系
1994年8月-1999年6月:理学博士,中国科学院固体物理研究所
1999年6月-2006年2月:博士后,中科院物理所、剑桥大学
2006年9月-至今:研究员,复旦大学

2009年1月-2015年12月,上海市高校特聘教授(东方学者)
2013年1月-2016年12月,国家杰出青年科学基金
2015年-2018年,IEDM存储器分会委员和 Scientific Reports 编委

江安全研究员所在专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学)是于1992年由国家计委批准建立、利用世界银行贷款筹建的国家重点实验室,是我国唯一的专门从事集成电路设计研究的国家重点实验室。1995年9月实验室通过国家验收,2002年和2007年,分别通过了科技部的评估。实验室依托复旦大学微电子学与固体电子学、电路与系统两个国家重点学科,所属一级学科电子科学与技术也被列入全国重点学科。

实验室的总体定位是:以微电子、集成电路计算机辅助设计和电路系统理论方法为基础,发挥多学科综合和交叉优势,面向微纳电子领域国际发展主流及国家战略需求,围绕集成电路这一关系到我国国民经济和社会发展,以及国防安全的重大关键问题,开展专用集成电路设计方法与系统集成技术的创新研究。



Size-Controlled Polarization Retention and Wall Current in Lithium Niobate Single-Crystal Memories

具有原子平滑度的绝缘铁电LiNbO3(LNO)单晶薄膜中的高导电性域壁,由于其优异的可靠性和高读取电流,在高密度集成的铁电域壁随机存取存储器(DWRAM)中的应用很有吸引力。然而,将存储器尺寸降至纳米级可能会导致极化保持性差。因此,了解存储器单元的尺寸依赖性电性能至关重要。在这项工作中,高度绝缘的X切割LNO薄膜被粘合到SiO2/Si晶片上,并在薄膜表面上制造了横向的崮状细胞,其中沿着极性z轴与双面电极发生接触。在应用高于胁迫场(Ec)的平面内电场下,每个存储器单元内的域被切换为与底部未切换的参考域反平行;这就形成了导电域壁,从而实现了DWRAM的无损读出策略。该单元的横向长度(l)高于105nm的临界尺寸(l0),发现整个单元区域是两个相的混合物。正如平面内压响应力显微镜成像所证明的那样,由于Ec = 150 kV/cm,细胞的内部区域遭受了不良的极化保持。相比之下,外周域,其长度为70nm(∼l0/2),显示出良好的保留,但需要更高的Ec为785kV/cm。由于外周域附近的平面内压缩应变释放后会发生相位重建,因此讨论了相关的物理学问题;结果显示与一维热力学计算和相场模拟的结果有良好的一致性。所测得的电流-电压曲线显示,当l<l0时,横跨电池的壁电流突然增强,从而意味着更高的读出壁电流和更高存储密度下DWRAM的更好保持。


润色编辑 David MacDonald

1988 - MSc Optical Electronics, University of Strathclyde

1987 - BEng Electrical & Electronic Engineering, University of Strathclyde

MacDonald先生是一位经验丰富的电子和电气工程信息科学家,研究生阶段的研究内容是光纤激光陀螺系统,1994年至2007年间,他一直在Thomson Scientific从事Inspec数据库学术和科技文章的索引和摘要编辑工作,专业领域包括电子学、光电子学、半导体电子学和电信学。之后,任Thomson专利分析师,为Derwent World Patent Index提供数据内容,领域覆盖电子材料和制造,半导体设备和电路及其制造商,以及包括液晶和电致发光显示器的电子显示技术。MacDonald先生擅长领域包括电子与电气工程、物理和材料科学。他从2008年起为理文编辑工作。